LED hồng ngoại 0,3W 850nm - LED 3 chip 5050

 

LED hồng ngoại 0,3W 850nm - LED 3 chip 5050

Hình thức thanh toán: T/T,Paypal,Western Union

Giao thông vận tải: Ocean,Land,Air

Nhận giá mới nhất

Liên hệ với bây giờ

Trò chuyện bây giờ

Thuộc tính sản phẩm



Thuộc tính sản phẩm

Mẫu số: 5050IRC-85L10I90

Thương hiệu: LED tốt nhất

Đóng gói và giao hàng
Đơn vị bán hàng	:	Piece/Pieces
Loại gói hàng	:	Thùng cạc-tông
Tải về	:

Mô tả sản phẩm



- 5050 SMD IR LED -

5050IRC-85L10I90

850nm LED có thể được sử dụng rộng rãi trong camera CCTV, camera quan sát ban đêm hoặc một số loại bỏ hệ thống điều khiển và hệ thống an ninh IR. Vỏ đèn LED SMD này có kích thước 5,0 * 5,0mm, lớn hơn so với các đèn LED SMD khác (2835 SMD LED, 3528 SMD LED v.v.). Sao cho case LED 5050 SMD này có đủ chỗ để đặt 3 chip LED âm trần. Trong trường hợp này, 3 chip LED hồng ngoại 850nm này sẽ có kết quả bức xạ chiếu sáng đồng đều hơn. So với những LED hồng ngoại 850nm công suất cao, 5050 3 chip LED 850nm này sẽ tiết kiệm năng lượng và kinh tế hơn. Bạn có cần một số 850nm với 3 chip bên trong SMD LED? Hãy liên hệ với chúng tôi để có thêm thông tin chi tiết!

5050 smd ir led

- Size: 5.0*5.0*1.3mm

- Chip Number: 3 chips

- Wavelength: 850nm

- Type: Surface mount device

- Chip brand: Epistar

- Polarity mark cathode

- Different color are available

- Different wavelength are available

- Warranty: 5 Years

- RoHS, REACH, EN62471

- Uniform light output

- Long life-solid state reliability

- Low Power consumption

-Anti UV epoxy resin package

-High temperature resistance

- Tham số kích thước-

5050 led IR 3CHIPS

Những trường hợp LED SMD này cũng có sẵn cho IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED vv.

- Màu phát quang -

- Thông số điện -

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	140mw
Pulse Forward Current	IFP	900mA
Forward Current	IF	90mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Bag
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.3	1.4	1.6	V	IF=20mA*3
		1.4	1.5	1.8		IF=50mA*3
		1.6		2.0		IF=100mA*3
Radiant Intensity	IE		10	20	mW/sr	IF=20mA*3
		30	37	45		IF=50mA*3
			78			IF=100mA*3
Peak Wavelength	λP	840	850	860	nm	IF=20mA*3
Half Width	Dl		45		nm	IF=20mA*3
Viewing Half Angle	2q1/2		120		deg	IF=20mA*3
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*2q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.